Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BSC100N10NSFGATMA1
Infineon Technologies

BSC100N10NSFGATMA1

Номер детали производителя BSC100N10NSFGATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
Упаковка PG-TDSON-8-1
В наличии 84316 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Multiple Changes 09/Jul/2014Assembly Site Update 26/Jul/2016
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$0.876 $0.787 $0.633 $0.52 $0.431 $0.401
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 84316 Infineon Technologies BSC100N10NSFGATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 110µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TDSON-8-1
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 25A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 156W (Tc)
Упаковка / 8-PowerTDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2900 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 44 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 11.4A (Ta), 90A (Tc)
Базовый номер продукта BSC100

Рекомендуемые продукты

BSC100N10NSFGATMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация