BSC094N06LS5ATMA1
Номер детали производителя | BSC094N06LS5ATMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CHANNEL 60V 47A 8TDSON |
Упаковка | PG-TDSON-8-6 |
В наличии | 192894 pcs |
Техническая спецификация | Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Mould Chgs 22/Jun/2022Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022 |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$0.435 | $0.39 | $0.304 | $0.251 | $0.198 | $0.185 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 192894 Infineon Technologies BSC094N06LS5ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.3V @ 14µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TDSON-8-6 |
Серии | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.4mOhm @ 24A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 36W (Tc) |
Упаковка / | 8-PowerTDFN |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1300 pF @ 30 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 9.4 nC @ 4.5 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 47A (Tc) |
Базовый номер продукта | BSC094 |
Рекомендуемые продукты
-
BSC0993NDATMA1
MOSFET 2N-CH 17A TISON8Infineon Technologies -
BSC0996NSATMA1
MOSFET N-CH 34V 13A TDSON-8-5Infineon Technologies -
BSC093N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 87A TDSONInfineon Technologies -
BSC0924NDIATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8Infineon Technologies -
BSC097N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6Infineon Technologies -
BSC094N03S G
MOSFET N-CH 30V 14.6A/35A TDSONInfineon Technologies -
BSC100N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 13A/44A TDSONInfineon Technologies -
BSC093N15NS5SCATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
BSC096N10LS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8-6Infineon Technologies -
BSC097N06NSTATMA1
MOSFET N-CH 60V 13A/48A TDSONInfineon Technologies -
BSC0923NDIATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8Infineon Technologies -
BSC0921NDIATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8Infineon Technologies -
BSC100N03MSG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC091N03MSCG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC0925NDATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8Infineon Technologies -
BSC100N03LSG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC093N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSONInfineon Technologies -
BSC091N03MSCGATMA1
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Infineon Technologies -
BSC098N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 60A TDSONInfineon Technologies -
BSC100N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/44A TDSONInfineon Technologies