Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BSC118N10NSG
Infineon Technologies

BSC118N10NSG

Номер детали производителя BSC118N10NSG
производитель Infineon Technologies
Подробное описание BSC118N10 - 12V-300V N-CHANNEL P
Упаковка PG-TDSON-8-1
В наличии 5771 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5771 Infineon Technologies BSC118N10NSG в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 70µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TDSON-8-1
Серии OptiMOS™ 2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.8mOhm @ 50A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 114W (Tc)
Упаковка / 8-PowerTDFN
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3700 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 56 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 11A (Ta), 71A (Tc)

Рекомендуемые продукты

BSC118N10NSG DataSheet PDF

Ключевые слова для BSC118N10NSG

Связанные детали для BSC118N10NSG