BSC096N10LS5ATMA1
| Номер детали производителя | BSC096N10LS5ATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8-6 |
| Упаковка | PG-TDSON-8-6 |
| В наличии | 91573 pcs |
| Техническая спецификация | Mult Dev Mould Chgs 22/Jun/2022Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 25 | 100 | 250 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| $1.011 | $0.912 | $0.815 | $0.733 | $0.652 | $0.57 | $0.496 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 91573 Infineon Technologies BSC096N10LS5ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.3V @ 36µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TDSON-8-6 |
| Серии | OptiMOS™ 5 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 20A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 3W (Ta), 83W (Tc) |
| Упаковка / | 8-PowerTDFN |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2100 pF @ 50 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 14.6 nC @ 4.5 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 40A (Tc) |
| Базовый номер продукта | BSC096 |
Рекомендуемые продукты
-
BSC0925NDATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8Infineon Technologies -
BSC100N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/44A TDSONInfineon Technologies -
BSC093N15NS5SCATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
BSC100N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSONInfineon Technologies -
BSC097N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6Infineon Technologies -
BSC094N03S G
MOSFET N-CH 30V 14.6A/35A TDSONInfineon Technologies -
BSC093N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 87A TDSONInfineon Technologies -
BSC097N06NSTATMA1
MOSFET N-CH 60V 13A/48A TDSONInfineon Technologies -
BSC100N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 13A/44A TDSONInfineon Technologies -
BSC100N03MSG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC098N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 60A TDSONInfineon Technologies -
BSC0993NDATMA1
MOSFET 2N-CH 17A TISON8Infineon Technologies -
BSC093N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSONInfineon Technologies -
BSC100N03LSG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC0996NSATMA1
MOSFET N-CH 34V 13A TDSON-8-5Infineon Technologies -
BSC0923NDIATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8Infineon Technologies -
BSC094N06LS5ATMA1
MOSFET N-CHANNEL 60V 47A 8TDSONInfineon Technologies -
BSC0924NDIATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8Infineon Technologies -
BSC091N03MSCGATMA1
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Infineon Technologies -
BSC0921NDIATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8Infineon Technologies