Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BSC118N10NSGATMA1
Infineon Technologies

BSC118N10NSGATMA1

Номер детали производителя BSC118N10NSGATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 100V 11A/71A TDSON
Упаковка PG-TDSON-8-1
В наличии 105181 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Multiple Changes 09/Jul/2014Assembly Site Update 26/Jul/2016
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$0.728 $0.652 $0.524 $0.431 $0.357 $0.332
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 105181 Infineon Technologies BSC118N10NSGATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 70µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TDSON-8-1
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.8mOhm @ 50A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 114W (Tc)
Упаковка / 8-PowerTDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3700 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 56 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 11A (Ta), 71A (Tc)
Базовый номер продукта BSC118

Рекомендуемые продукты

BSC118N10NSGATMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация