BSC118N10NSGATMA1
Номер детали производителя | BSC118N10NSGATMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 100V 11A/71A TDSON |
Упаковка | PG-TDSON-8-1 |
В наличии | 105181 pcs |
Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Multiple Changes 09/Jul/2014Assembly Site Update 26/Jul/2016 |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$0.728 | $0.652 | $0.524 | $0.431 | $0.357 | $0.332 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 105181 Infineon Technologies BSC118N10NSGATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 70µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TDSON-8-1 |
Серии | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.8mOhm @ 50A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 114W (Tc) |
Упаковка / | 8-PowerTDFN |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 3700 pF @ 50 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 11A (Ta), 71A (Tc) |
Базовый номер продукта | BSC118 |
Рекомендуемые продукты
-
BSC120N03LSG
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Infineon Technologies -
BSC110N15NS5SCATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
BSC12DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSONInfineon Technologies -
BSC120N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSONInfineon Technologies -
BSC119N03MSCG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC100N10NSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSONInfineon Technologies -
BSC119N03S G
MOSFET N-CH 30V 11.9A/30A TDSONInfineon Technologies -
BSC110N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8Infineon Technologies -
BSC106N025S G
MOSFET N-CH 25V 13A/30A TDSONInfineon Technologies -
BSC123N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSONInfineon Technologies -
BSC117N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 49A TDSONInfineon Technologies -
BSC123N10LSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSONInfineon Technologies -
BSC109N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1Infineon Technologies -
BSC105N10LSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSONInfineon Technologies -
BSC110N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 76A TDSONInfineon Technologies -
BSC112N06LDATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
BSC120N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSONInfineon Technologies -
BSC120N12LSGATMA1
TRENCH >=100V PG-TDSON-8Infineon Technologies -
BSC118N10NSG
BSC118N10 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
BSC130P03LS G
P-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies