BSC109N10NS3GATMA1
| Номер детали производителя | BSC109N10NS3GATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1 |
| Упаковка | PG-TDSON-8-1 |
| В наличии | 124310 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Assembly Site Add 20/Jun/2016Multiple Changes 09/Jul/2014 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.569 | $0.512 | $0.412 | $0.338 | $0.28 | $0.261 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 124310 Infineon Technologies BSC109N10NS3GATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 3.5V @ 45µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TDSON-8-1 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.9mOhm @ 46A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 78W (Tc) |
| Упаковка / | 8-PowerTDFN |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2500 pF @ 50 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 63A (Tc) |
| Базовый номер продукта | BSC109 |
Рекомендуемые продукты
-
BSC119N03MSCG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC100N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 13A/44A TDSONInfineon Technologies -
BSC112N06LDATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
BSC100N10NSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSONInfineon Technologies -
BSC0996NSATMA1
MOSFET N-CH 34V 13A TDSON-8-5Infineon Technologies -
BSC100N03LSG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC120N03LSG
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Infineon Technologies -
BSC105N10LSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSONInfineon Technologies -
BSC110N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8Infineon Technologies -
BSC118N10NSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 11A/71A TDSONInfineon Technologies -
BSC118N10NSG
BSC118N10 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
BSC100N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSONInfineon Technologies -
BSC0993NDATMA1
MOSFET 2N-CH 17A TISON8Infineon Technologies -
BSC110N15NS5SCATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
BSC119N03S G
MOSFET N-CH 30V 11.9A/30A TDSONInfineon Technologies -
BSC117N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 49A TDSONInfineon Technologies -
BSC110N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 76A TDSONInfineon Technologies -
BSC100N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/44A TDSONInfineon Technologies -
BSC106N025S G
MOSFET N-CH 25V 13A/30A TDSONInfineon Technologies -
BSC100N03MSG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies