Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BSC110N06NS3GATMA1
Infineon Technologies

BSC110N06NS3GATMA1

Номер детали производителя BSC110N06NS3GATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Упаковка PG-TDSON-8-5
В наличии 227596 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Multiple Changes 09/Jul/2014OptiMOS Assembly Site Add 2/Jan/2018
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$0.439 $0.393 $0.307 $0.253 $0.2 $0.187
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 227596 Infineon Technologies BSC110N06NS3GATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 23µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TDSON-8-5
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 50A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Упаковка / 8-PowerTDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2700 pF @ 30 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 33 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 50A (Tc)
Базовый номер продукта BSC110

Рекомендуемые продукты

BSC110N06NS3GATMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация