BSC0911NDATMA1
| Номер детали производителя | BSC0911NDATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8 |
| Упаковка | PG-TISON-8 |
| В наличии | 125865 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Chgs 12/Sep/2022 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.711 | $0.637 | $0.512 | $0.421 | $0.348 | $0.324 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 125865 Infineon Technologies BSC0911NDATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TISON-8 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 20A, 10V |
| Мощность - Макс | 1W |
| Упаковка / | 8-PowerTDFN |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1600pF @ 12V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| FET Характеристика | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 25V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 18A, 30A |
| конфигурация | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Базовый номер продукта | BSC0911 |
Рекомендуемые продукты
-
BSC090N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/48A 8TDSONInfineon Technologies -
BSC0924NDIATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8Infineon Technologies -
BSC0925NDATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8Infineon Technologies -
BSC090N03LSG
BSC090N03 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
BSC0923NDIATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8Infineon Technologies -
BSC0908NS
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC091N03MSCGATMA1
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Infineon Technologies -
BSC0910NDIATMA1
MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8Infineon Technologies -
BSC093N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 87A TDSONInfineon Technologies -
BSC090BNS
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC0921NDIATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8Infineon Technologies -
BSC093N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSONInfineon Technologies -
BSC0908NSATMA1
MOSFET N-CH 34V 14A/49A TDSONInfineon Technologies -
BSC091N03MSCG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC090N03MSG
BSC090N03 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
BSC090N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 13A/48A TDSONInfineon Technologies -
BSC0909NSATMA1
MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSONInfineon Technologies -
BSC094N03S G
MOSFET N-CH 30V 14.6A/35A TDSONInfineon Technologies -
BSC093N15NS5SCATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
BSC090N03MSGXT
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies