BSC117N08NS5ATMA1
| Номер детали производителя | BSC117N08NS5ATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 80V 49A TDSON |
| Упаковка | PG-TDSON-8-7 |
| В наличии | 166046 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Mould Chgs 22/Jun/2022Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.658 | $0.587 | $0.458 | $0.378 | $0.299 | $0.279 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 166046 Infineon Technologies BSC117N08NS5ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 3.8V @ 22µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TDSON-8-7 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.7mOhm @ 25A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
| Упаковка / | 8-PowerTDFN |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1300 pF @ 40 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 80 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 49A (Tc) |
| Базовый номер продукта | BSC117 |
Рекомендуемые продукты
-
BSC100N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/44A TDSONInfineon Technologies -
BSC120N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSONInfineon Technologies -
BSC100N10NSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSONInfineon Technologies -
BSC118N10NSG
BSC118N10 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
BSC106N025S G
MOSFET N-CH 25V 13A/30A TDSONInfineon Technologies -
BSC119N03MSCG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC120N12LSGATMA1
TRENCH >=100V PG-TDSON-8Infineon Technologies -
BSC100N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSONInfineon Technologies -
BSC110N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8Infineon Technologies -
BSC109N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1Infineon Technologies -
BSC123N10LSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSONInfineon Technologies -
BSC119N03S G
MOSFET N-CH 30V 11.9A/30A TDSONInfineon Technologies -
BSC110N15NS5SCATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
BSC105N10LSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSONInfineon Technologies -
BSC118N10NSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 11A/71A TDSONInfineon Technologies -
BSC110N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 76A TDSONInfineon Technologies -
BSC120N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSONInfineon Technologies -
BSC112N06LDATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
BSC123N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSONInfineon Technologies -
BSC120N03LSG
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Infineon Technologies