BSC123N08NS3GATMA1
| Номер детали производителя | BSC123N08NS3GATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON |
| Упаковка | PG-TDSON-8-1 |
| В наличии | 156659 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Assembly Site Add 20/Jun/2016Multiple Changes 09/Jul/2014 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.586 | $0.522 | $0.407 | $0.337 | $0.266 | $0.248 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 156659 Infineon Technologies BSC123N08NS3GATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 3.5V @ 33µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TDSON-8-1 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.3mOhm @ 33A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 2.5W (Ta), 66W (Tc) |
| Упаковка / | 8-PowerTDFN |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1870 pF @ 40 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 80 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 11A (Ta), 55A (Tc) |
| Базовый номер продукта | BSC123 |
Рекомендуемые продукты
-
BSC150N03LDGATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSONInfineon Technologies -
BSC119N03MSCG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC120N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSONInfineon Technologies -
BSC152N10NSFG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC119N03S G
MOSFET N-CH 30V 11.9A/30A TDSONInfineon Technologies -
BSC150N03LD
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC120N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSONInfineon Technologies -
BSC130P03LS G
P-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC12DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSONInfineon Technologies -
BSC118N10NSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 11A/71A TDSONInfineon Technologies -
BSC120N12LSGATMA1
TRENCH >=100V PG-TDSON-8Infineon Technologies -
BSC112N06LDATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
BSC146N10LS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 44A TDSON-8-6Infineon Technologies -
BSC117N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 49A TDSONInfineon Technologies -
BSC130P03LSGAUMA1
MOSFET P-CH 30V 12A/22.5A TDSONInfineon Technologies -
BSC152N10NSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSONInfineon Technologies -
BSC120N03LSG
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Infineon Technologies -
BSC118N10NSG
BSC118N10 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
BSC123N10LSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSONInfineon Technologies -
BSC13DN30NSFDATMA1
MOSFET N-CH 300V 16A TDSON-8-1Infineon Technologies