BSC0910NDIATMA1
Номер детали производителя | BSC0910NDIATMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8 |
Упаковка | PG-TISON-8 |
В наличии | 73912 pcs |
Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Chgs 12/Sep/2022 |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$0.989 | $0.889 | $0.715 | $0.587 | $0.486 | $0.453 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 73912 Infineon Technologies BSC0910NDIATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TISON-8 |
Серии | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 25A, 10V |
Мощность - Макс | 1W |
Упаковка / | 8-PowerTDFN |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 4500pF @ 12V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 6.6nC @ 4.5V |
FET Характеристика | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 25V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 11A, 31A |
конфигурация | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Базовый номер продукта | BSC0910 |
Рекомендуемые продукты
-
BSC0906NSE8189ATMA1
MOSFET N-CH 30V TDSONInfineon Technologies -
BSC0908NSATMA1
MOSFET N-CH 34V 14A/49A TDSONInfineon Technologies -
BSC093N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 87A TDSONInfineon Technologies -
BSC090N03LSG
BSC090N03 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
BSC090N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/48A 8TDSONInfineon Technologies -
BSC0925NDATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8Infineon Technologies -
BSC0923NDIATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8Infineon Technologies -
BSC090BNS
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC091N03MSCG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC093N15NS5SCATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
BSC0911NDATMA1
MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8Infineon Technologies -
BSC0924NDIATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8Infineon Technologies -
BSC090N03MSGXT
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC090N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 13A/48A TDSONInfineon Technologies -
BSC0908NS
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC0909NSATMA1
MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSONInfineon Technologies -
BSC090N03MSG
BSC090N03 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
BSC093N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSONInfineon Technologies -
BSC091N03MSCGATMA1
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1Infineon Technologies -
BSC0921NDIATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8Infineon Technologies