Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BSC091N03MSCGATMA1
Infineon Technologies

BSC091N03MSCGATMA1

Номер детали производителя BSC091N03MSCGATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Упаковка PG-TDSON-8-6
В наличии 413348 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
1094
$0.107
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 413348 Infineon Technologies BSC091N03MSCGATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TDSON-8-6
Серии SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.1mOhm @ 30A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Упаковка / 8-PowerTDFN
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1500 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 12A (Ta), 44A (Tc)

Рекомендуемые продукты

BSC091N03MSCGATMA1 DataSheet PDF

Ключевые слова для BSC091N03MSCGATMA1

Связанные детали для BSC091N03MSCGATMA1