BSC0904NSIATMA1
| Номер детали производителя | BSC0904NSIATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON |
| Упаковка | PG-TDSON-8-6 |
| В наличии | 271205 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Mould Chgs 22/Jun/2022Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.344 | $0.304 | $0.233 | $0.184 | $0.147 | $0.134 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 271205 Infineon Technologies BSC0904NSIATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TDSON-8-6 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 30A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 2.5W (Ta), 37W (Tc) |
| Упаковка / | 8-PowerTDFN |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1100 pF @ 15 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 20A (Ta), 78A (Tc) |
| Базовый номер продукта | BSC0904 |
Рекомендуемые продукты
-
BSC090N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 13A/48A TDSONInfineon Technologies -
BSC085N025S G
MOSFET N-CH 25V 14A/35A TDSONInfineon Technologies -
BSC090BNS
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC080N12LSGATMA1
TRENCH >=100V PG-TDSON-8Infineon Technologies -
BSC0901NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC082N10LSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSONInfineon Technologies -
BSC090N03MSG
BSC090N03 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
BSC0902NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC090N03LSG
BSC090N03 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
BSC084P03NS3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSONInfineon Technologies -
BSC0908NS
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC0901NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC0906NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSONInfineon Technologies -
BSC090N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/48A 8TDSONInfineon Technologies -
BSC0906NSE8189ATMA1
MOSFET N-CH 30V TDSONInfineon Technologies -
BSC0908NSATMA1
MOSFET N-CH 34V 14A/49A TDSONInfineon Technologies -
BSC080P03LSGAUMA1
MOSFET P-CH 30V 16A/30A TDSON-8Infineon Technologies -
BSC084P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSONInfineon Technologies -
BSC0902NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSONInfineon Technologies -
BSC0909NSATMA1
MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSONInfineon Technologies