BSZ100N03LSGATMA1
| Номер детали производителя | BSZ100N03LSGATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON |
| Упаковка | PG-TSDSON-8 |
| В наличии | 371822 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Multiple Changes 09/Jul/2014 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.296 | $0.259 | $0.199 | $0.157 | $0.126 | $0.114 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 371822 Infineon Technologies BSZ100N03LSGATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TSDSON-8 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 20A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 2.1W (Ta), 30W (Tc) |
| Упаковка / | 8-PowerTDFN |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1500 pF @ 15 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 12A (Ta), 40A (Tc) |
| Базовый номер продукта | BSZ100 |
Рекомендуемые продукты
-
BSZ0910LSATMA1
MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ105N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 11A/40A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ105N04NSG
OPTLMOS POWER-MOSFETInfineon Technologies -
BSZ0945NDXTMA1
TRENCH <= 40VInfineon Technologies -
BSZ100N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ097N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ120P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ0911LSATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ110N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ097N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ100N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ100N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ110N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ0994NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25Infineon Technologies -
BSZ0910NDXTMA1
DIFFERENTIATED MOSFETSInfineon Technologies -
BSZ120P03NS3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ096N10LS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ0909NSATMA1
MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ123N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ099N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 46A TSDSONInfineon Technologies