Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BSZ16DN25NS3GATMA1
Infineon Technologies

BSZ16DN25NS3GATMA1

Номер детали производителя BSZ16DN25NS3GATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Упаковка PG-TSDSON-8
В наличии 92473 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Material Chgs 22/Dec/2020
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$0.833 $0.747 $0.6 $0.493 $0.409 $0.381
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 92473 Infineon Technologies BSZ16DN25NS3GATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 32µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TSDSON-8
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 5.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 62.5W (Tc)
Упаковка / 8-PowerTDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 920 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 11.4 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 250 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 10.9A (Tc)
Базовый номер продукта BSZ16DN25

Рекомендуемые продукты

BSZ16DN25NS3GATMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация