Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BSZ120P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies

BSZ120P03NS3EGATMA1

Номер детали производителя BSZ120P03NS3EGATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Упаковка PG-TSDSON-8
В наличии 6757 pcs
Техническая спецификация BSZ120P03NS3E GPart Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Devices EOL 08/May/2019Multiple Changes 09/Jul/2014
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6757 Infineon Technologies BSZ120P03NS3EGATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.1V @ 73µA
Vgs (макс.) ±25V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TSDSON-8
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Упаковка / 8-PowerTDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3360 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 45 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 11A (Ta), 40A (Tc)

Рекомендуемые продукты

BSZ120P03NS3EGATMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация