Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > BSZ0910NDXTMA1
Infineon Technologies

BSZ0910NDXTMA1

Номер детали производителя BSZ0910NDXTMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание DIFFERENTIATED MOSFETS
Упаковка PG-WISON-8
В наличии 5894 pcs
Техническая спецификация Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018BSZ09 EOL 6/Jan/2022
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5894 Infineon Technologies BSZ0910NDXTMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-WISON-8
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 9A, 10V
Мощность - Макс 1.9W (Ta), 31W (Tc)
Упаковка / 8-PowerVDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 800pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 5.6nC @ 4.5V
FET Характеристика Logic Level Gate, 4.5V Drive
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 9.5A (Ta), 25A (Tc)
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта BSZ0910

Рекомендуемые продукты

BSZ0910NDXTMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для BSZ0910NDXTMA1

Связанные детали для BSZ0910NDXTMA1