BSZ110N06NS3GATMA1
Номер детали производителя | BSZ110N06NS3GATMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON |
Упаковка | PG-TSDSON-8 |
В наличии | 318318 pcs |
Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Multiple Changes 09/Jul/2014OptiMOS Assembly Site Add 2/Jan/2018 |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$0.317 | $0.284 | $0.222 | $0.183 | $0.145 | $0.135 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 318318 Infineon Technologies BSZ110N06NS3GATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 23µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TSDSON-8 |
Серии | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 20A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 2.1W (Ta), 50W (Tc) |
Упаковка / | 8-PowerVDFN |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2700 pF @ 30 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 20A (Tc) |
Базовый номер продукта | BSZ110 |
Рекомендуемые продукты
-
BSZ130N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ0994NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25Infineon Technologies -
BSZ130N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ120P03NS3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ100N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ100N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ097N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ097N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ099N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 46A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ100N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ105N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 11A/40A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ110N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ12DN20NS3G
BSZ12DN20 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
BSZ123N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ146N10LS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ120P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ100N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ12DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ105N04NSG
OPTLMOS POWER-MOSFETInfineon Technologies -
BSZ130N03MSG
BSZ130N03 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies