Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BSZ12DN20NS3G
Infineon Technologies

BSZ12DN20NS3G

Номер детали производителя BSZ12DN20NS3G
производитель Infineon Technologies
Подробное описание BSZ12DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P
Упаковка PG-TSDSON-8
В наличии 4014 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4014 Infineon Technologies BSZ12DN20NS3G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 25µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TSDSON-8
Серии OptiMOS™ 3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 5.7A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 50W (Tc)
Упаковка / 8-PowerTDFN
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 680 pF @ 100 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 11.3A (Tc)

Рекомендуемые продукты

BSZ12DN20NS3G DataSheet PDF