BSZ100N06NSATMA1
Номер детали производителя | BSZ100N06NSATMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON |
Упаковка | PG-TSDSON-8-FL |
В наличии | 267902 pcs |
Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Site Add 30/Oct/2020 |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$0.364 | $0.324 | $0.253 | $0.209 | $0.165 | $0.154 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 267902 Infineon Technologies BSZ100N06NSATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 3.3V @ 14µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TSDSON-8-FL |
Серии | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 20A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 2.1W (Ta), 36W (Tc) |
Упаковка / | 8-PowerTDFN |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1075 pF @ 30 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 40A (Tc) |
Базовый номер продукта | BSZ100 |
Рекомендуемые продукты
-
BSZ110N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ097N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ0911LSATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ0945NDXTMA1
TRENCH <= 40VInfineon Technologies -
BSZ120P03NS3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ097N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ12DN20NS3G
BSZ12DN20 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
BSZ099N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 46A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ130N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ0994NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25Infineon Technologies -
BSZ100N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ096N10LS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ120P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ110N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ100N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ123N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ105N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 11A/40A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ100N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ12DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ105N04NSG
OPTLMOS POWER-MOSFETInfineon Technologies