BSZ0909NSATMA1
Номер детали производителя | BSZ0909NSATMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON |
Упаковка | PG-TSDSON-8 |
В наличии | 370228 pcs |
Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Multiple Changes 09/Jul/2014 |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$0.288 | $0.253 | $0.194 | $0.153 | $0.123 | $0.111 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 370228 Infineon Technologies BSZ0909NSATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TSDSON-8 |
Серии | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 20A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 2.1W (Ta), 25W (Tc) |
Упаковка / | 8-PowerTDFN |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1310 pF @ 15 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 34 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 9A (Ta), 36A (Tc) |
Базовый номер продукта | BSZ0909 |
Рекомендуемые продукты
-
BSZ096N10LS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ0910NDXTMA1
DIFFERENTIATED MOSFETSInfineon Technologies -
BSZ097N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ0994NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25Infineon Technologies -
BSZ100N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ0902NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ0904NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ0911LSATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ0945NDXTMA1
TRENCH <= 40VInfineon Technologies -
BSZ0910LSATMA1
MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ0909LSATMA1
MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ097N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ0908NDXTMA2
MOSFET 2N-CH 30V 20A WISON-8Infineon Technologies -
BSZ0902NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ099N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 46A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ0901NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ0905PNSATMA1
MOSFET P-CH 30V 40A TDSON-8Infineon Technologies -
BSZ0909NDXTMA1
MOSFET 2N-CH 30V 20A WISON-8Infineon Technologies -
BSZ0907NDXTMA2
MOSFET 2N-CH 30V 20A WISON-8Infineon Technologies -
BSZ0908NDXTMA1
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFETInfineon Technologies