Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BSZ105N04NSGATMA1
Infineon Technologies

BSZ105N04NSGATMA1

Номер детали производителя BSZ105N04NSGATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 40V 11A/40A 8TSDSON
Упаковка PG-TSDSON-8
В наличии 4431 pcs
Техническая спецификация BSZ105N04NSGPart Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Devices EOL 08/May/2019Multiple Changes 09/Jul/2014OptiMOS Assembly Site Add 2/Jan/2018
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4431 Infineon Technologies BSZ105N04NSGATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 14µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TSDSON-8
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Упаковка / 8-PowerTDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1300 pF @ 20 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 11A (Ta), 40A (Tc)

Рекомендуемые продукты

BSZ105N04NSGATMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация