BSZ165N04NSGATMA1
| Номер детали производителя | BSZ165N04NSGATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON |
| Упаковка | PG-TSDSON-8 |
| В наличии | 5429 pcs |
| Техническая спецификация | BSZ165N04NSGPart Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Devices EOL 08/May/2019Multiple Changes 09/Jul/2014OptiMOS Assembly Site Add 2/Jan/2018 |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5429 Infineon Technologies BSZ165N04NSGATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 10µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TSDSON-8 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5mOhm @ 20A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 2.1W (Ta), 25W (Tc) |
| Упаковка / | 8-PowerTDFN |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 840 pF @ 20 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 40 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 8.9A (Ta), 31A (Tc) |
Рекомендуемые продукты
-
BSZ160N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ180P03NS3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ240N12NS3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 37A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ22DN20NS3G
BSZ22DN20 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
BSZ130N03MSG
BSZ130N03 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
BSZ130N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ15DC02KDHXTMA1
MOSFET N/P-CH 20V 5.1/3.2A TDSONInfineon Technologies -
BSZ180P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ146N10LS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ12DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ42DN25NS3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8Infineon Technologies -
BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ150N10LS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ12DN20NS3G
BSZ12DN20 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
BSZ22DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ123N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ300N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 32A TSDSONInfineon Technologies -
BSZ130N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ340N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSONInfineon Technologies -
BSZ215CHXTMA1
MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSONInfineon Technologies