Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BSZ088N03MSG
Infineon Technologies

BSZ088N03MSG

Номер детали производителя BSZ088N03MSG
производитель Infineon Technologies
Подробное описание BSZ088N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Упаковка PG-TSDSON-8
В наличии 4687 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4687 Infineon Technologies BSZ088N03MSG в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TSDSON-8
Серии OptiMOS™3M
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Упаковка / 8-PowerTDFN
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2100 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 27 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 11A (Ta), 50A (Tc)

Рекомендуемые продукты

BSZ088N03MSG DataSheet PDF

Ключевые слова для BSZ088N03MSG

Связанные детали для BSZ088N03MSG