Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BSZ086P03NS3GATMA1
Infineon Technologies

BSZ086P03NS3GATMA1

Номер детали производителя BSZ086P03NS3GATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Упаковка PG-TSDSON-8
В наличии 230125 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Multiple Changes 09/Jul/2014
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$0.346 $0.307 $0.24 $0.198 $0.156 $0.146
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 230125 Infineon Technologies BSZ086P03NS3GATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 3.1V @ 105µA
Vgs (макс.) ±25V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TSDSON-8
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Упаковка / 8-PowerTDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 4785 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 57.5 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 13.5A (Ta), 40A (Tc)
Базовый номер продукта BSZ086

Рекомендуемые продукты

BSZ086P03NS3GATMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация