Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BSZ076N06NS3G
Infineon Technologies

BSZ076N06NS3G

Номер детали производителя BSZ076N06NS3G
производитель Infineon Technologies
Подробное описание OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Упаковка PG-TSDSON-8
В наличии 4423 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4423 Infineon Technologies BSZ076N06NS3G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 35µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TSDSON-8
Серии OptiMOS™ 3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.6mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Упаковка / 8-PowerVDFN
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 4000 pF @ 30 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 50 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 20A (Tc)

Рекомендуемые продукты

BSZ076N06NS3G DataSheet PDF

Ключевые слова для BSZ076N06NS3G

Связанные детали для BSZ076N06NS3G