SISA88DN-T1-GE3
| Номер детали производителя | SISA88DN-T1-GE3 |
|---|---|
| производитель | Vishay Siliconix |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK |
| Упаковка | PowerPAK® 1212-8 |
| В наличии | 438327 pcs |
| Техническая спецификация | New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 08/Dec/2022SISA88DN |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.198 | $0.169 | $0.126 | $0.099 | $0.077 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 438327 Vishay Siliconix SISA88DN-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | +20V, -16V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® 1212-8 |
| Серии | TrenchFET® Gen IV |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 10A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) |
| Упаковка / | PowerPAK® 1212-8 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 985 pF @ 15 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 25.5 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 16.2A (Ta), 40.5A (Tc) |
| Базовый номер продукта | SISA88 |
Рекомендуемые продукты
-
SISA18DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SISA40DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAKVishay Siliconix -
SISC624P06X3MA1
SMALL SIGNAL+P-CHInfineon Technologies -
SISC185N06LX1SA1
TRANSISTOR P-CH BARE DIEInternational Rectifier (Infineon Technologies) -
SISA72DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SISA26DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8SVishay Siliconix -
SISA18BDN-T1-GE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SISC050N10DX1SA1
MOSFET N-CHAN SAWED WAFERInternational Rectifier (Infineon Technologies) -
SISC29N20DX1SA1
TRANSISTOR P-CH BARE DIEInfineon Technologies -
SISA24DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SISF00DN-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12Vishay Siliconix -
SISA72ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAKVishay Siliconix -
SISA96DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SISA35DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 10A/16A PPAKVishay Siliconix -
SISC06DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 27.6A/40A PPAKVishay Siliconix -
SISA34DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SISB46DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8Vishay Siliconix -
SISC097N24DX1SA1
TRANSISTOR P-CH BARE DIEInfineon Technologies -
SISC262SN06LX1SA1
TRANSISTOR P-CH BARE DIEInternational Rectifier (Infineon Technologies) -
SISA66DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8Vishay Siliconix