Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SISA24DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISA24DN-T1-GE3

Номер детали производителя SISA24DN-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8
Упаковка PowerPAK® 1212-8
В наличии 298682 pcs
Техническая спецификация New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 08/Dec/2022SISA24DN
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.362 $0.32 $0.245 $0.194 $0.155
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 298682 Vishay Siliconix SISA24DN-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Vgs (макс.) +20V, -16V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® 1212-8
Серии TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 15A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 52W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® 1212-8
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2650 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 26 nC @ 4.5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 25 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 60A (Tc)
Базовый номер продукта SISA24

Рекомендуемые продукты

SISA24DN-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация