SISA34DN-T1-GE3
| Номер детали производителя | SISA34DN-T1-GE3 |
|---|---|
| производитель | Vishay Siliconix |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8 |
| Упаковка | PowerPAK® 1212-8 |
| В наличии | 353796 pcs |
| Техническая спецификация | Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018SISA34DN |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 |
|---|---|
| $0.197 | $0.129 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 353796 Vishay Siliconix SISA34DN-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | +20V, -16V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® 1212-8 |
| Серии | TrenchFET® Gen IV |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 10A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 20.8W (Tc) |
| Упаковка / | PowerPAK® 1212-8 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1100 pF @ 15 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 40A (Tc) |
| Базовый номер продукта | SISA34 |
Рекомендуемые продукты
-
SISC06DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 27.6A/40A PPAKVishay Siliconix -
SISA26DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8SVishay Siliconix -
SISB46DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8Vishay Siliconix -
SISA88DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAKVishay Siliconix -
SISA14BDN-T1-GE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SISA16DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SISC050N10DX1SA1
MOSFET N-CHAN SAWED WAFERInternational Rectifier (Infineon Technologies) -
SISA24DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SISA35DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 10A/16A PPAKVishay Siliconix -
SISA18DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SISA12ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SISA96DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SISA40DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAKVishay Siliconix -
SISA66DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SISA18BDN-T1-GE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SISA18ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SISA14DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SISA12BDN-T1-GE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SISA72ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAKVishay Siliconix -
SISA72DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8Vishay Siliconix