Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SISF06DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISF06DN-T1-GE3

Номер детали производителя SISF06DN-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S
Упаковка PowerPAK® 1212-8SCD
В наличии 162600 pcs
Техническая спецификация Common Drain Dual N-Channel 30 V (S1-S2) MOSFET
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.486 $0.435 $0.339 $0.28 $0.221
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 162600 Vishay Siliconix SISF06DN-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® 1212-8SCD
Серии TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 7A, 10V
Мощность - Макс 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® 1212-8SCD
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2050pF @ 15V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 45nC @ 10V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 28A (Ta), 101A (Tc)
конфигурация 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Базовый номер продукта SISF06

Рекомендуемые продукты

SISF06DN-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SISF06DN-T1-GE3

Связанные детали для SISF06DN-T1-GE3