Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SISH108DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISH108DN-T1-GE3

Номер детали производителя SISH108DN-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH
Упаковка PowerPAK® 1212-8SH
В наличии 411443 pcs
Техническая спецификация SiSH108DN
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.264 $0.232 $0.178 $0.141 $0.112
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 411443 Vishay Siliconix SISH108DN-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Vgs (макс.) ±16V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® 1212-8SH
Серии TrenchFET® Gen II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9mOhm @ 22A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 1.5W (Ta)
Упаковка / PowerPAK® 1212-8SH
Упаковка Tape & Reel (TR)
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 14A (Ta)
Базовый номер продукта SISH108

Рекомендуемые продукты

SISH108DN-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SISH108DN-T1-GE3

Связанные детали для SISH108DN-T1-GE3