Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SISH107DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISH107DN-T1-GE3

Номер детали производителя SISH107DN-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Упаковка PowerPAK® 1212-8SH
В наличии 280562 pcs
Техническая спецификация P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.313 $0.275 $0.211 $0.167 $0.134
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 280562 Vishay Siliconix SISH107DN-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® 1212-8SH
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 35A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® 1212-8SH
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1400 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 41 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 12.6A (Ta), 34.4A (Tc)
Базовый номер продукта SISH107

Рекомендуемые продукты

SISH107DN-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SISH107DN-T1-GE3

Связанные детали для SISH107DN-T1-GE3