SISB46DN-T1-GE3
Номер детали производителя | SISB46DN-T1-GE3 |
---|---|
производитель | Vishay Siliconix |
Подробное описание | MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8 |
Упаковка | PowerPAK® 1212-8 Dual |
В наличии | 305585 pcs |
Техническая спецификация | New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 08/Dec/2022SISB46DN |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.32 | $0.281 | $0.215 | $0.17 | $0.136 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 305585 Vishay Siliconix SISB46DN-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Серии | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.71mOhm @ 5A, 10V |
Мощность - Макс | 23W |
Упаковка / | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1100pF @ 20V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
FET Характеристика | - |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 40V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 34A (Tc) |
конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
Базовый номер продукта | SISB46 |
Рекомендуемые продукты
-
SISA66DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SISA35DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 10A/16A PPAKVishay Siliconix -
SISC06DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 27.6A/40A PPAKVishay Siliconix -
SISF00DN-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12Vishay Siliconix -
SISC050N10DX1SA1
MOSFET N-CHAN SAWED WAFERInternational Rectifier (Infineon Technologies) -
SISA34DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SISA96DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SISC29N20DX1SA1
TRANSISTOR P-CH BARE DIEInfineon Technologies -
SISA72ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAKVishay Siliconix -
SISC185N06LX1SA1
TRANSISTOR P-CH BARE DIEInternational Rectifier (Infineon Technologies) -
SISF02DN-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8Vishay Siliconix -
SISA40DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAKVishay Siliconix -
SISF04DN-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 1212-8Vishay Siliconix -
SISA88DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAKVishay Siliconix -
SISA26DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8SVishay Siliconix -
SISA24DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SISA72DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SISC624P06X3MA1
SMALL SIGNAL+P-CHInfineon Technologies -
SISC262SN06LX1SA1
TRANSISTOR P-CH BARE DIEInternational Rectifier (Infineon Technologies) -
SISC097N24DX1SA1
TRANSISTOR P-CH BARE DIEInfineon Technologies