Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SIS903DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS903DN-T1-GE3

Номер детали производителя SIS903DN-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
Упаковка PowerPAK® 1212-8 Dual
В наличии 213146 pcs
Техническая спецификация New Solder Plating Site 18/Apr/2023SIS903DN
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.39 $0.349 $0.272 $0.225 $0.178
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 213146 Vishay Siliconix SIS903DN-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® 1212-8 Dual
Серии TrenchFET® Gen III
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Мощность - Макс 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® 1212-8 Dual
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2565pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 42nC @ 10V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 6A (Tc)
конфигурация 2 P-Channel (Dual)
Базовый номер продукта SIS903

Рекомендуемые продукты

SIS903DN-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Loading...