Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SIS990DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS990DN-T1-GE3

Номер детали производителя SIS990DN-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
Упаковка PowerPAK® 1212-8 Dual
В наличии 202666 pcs
Техническая спецификация New Solder Plating Site 18/Apr/2023Mult Dev 08/Dec/2022SIS990DN
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.361 $0.324 $0.252 $0.208 $0.164
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 202666 Vishay Siliconix SIS990DN-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® 1212-8 Dual
Серии TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 8A, 10V
Мощность - Макс 25W
Упаковка / PowerPAK® 1212-8 Dual
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 250pF @ 50V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 8nC @ 10V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 12.1A
конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Базовый номер продукта SIS990

Рекомендуемые продукты

SIS990DN-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация