SISF02DN-T1-GE3
Номер детали производителя | SISF02DN-T1-GE3 |
---|---|
производитель | Vishay Siliconix |
Подробное описание | MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8 |
Упаковка | PowerPAK® 1212-8SCD |
В наличии | 144605 pcs |
Техническая спецификация | SiSF02DN |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.556 | $0.496 | $0.387 | $0.32 | $0.252 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 144605 Vishay Siliconix SISF02DN-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® 1212-8SCD |
Серии | TrenchFET® Gen IV |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 7A, 10V |
Мощность - Макс | 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) |
Упаковка / | PowerPAK® 1212-8SCD |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2650pF @ 10V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 56nC @ 10V |
FET Характеристика | - |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 25V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 30.5A (Ta), 60A (Tc) |
конфигурация | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Базовый номер продукта | SISF02 |
Рекомендуемые продукты
-
SISH101DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAKVishay Siliconix -
SISB46DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8Vishay Siliconix -
SISA96DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8Vishay Siliconix -
SISC262SN06LX1SA1
TRANSISTOR P-CH BARE DIEInternational Rectifier (Infineon Technologies) -
SISH106DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAKVishay Siliconix -
SISC624P06X3MA1
SMALL SIGNAL+P-CHInfineon Technologies -
SISH107DN-T1-GE3
P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SISH108DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SHVishay Siliconix -
SISC29N20DX1SA1
TRANSISTOR P-CH BARE DIEInfineon Technologies -
SISF06DN-T1-GE3
COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-SVishay Siliconix -
SISF00DN-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12Vishay Siliconix -
SISC06DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 27.6A/40A PPAKVishay Siliconix -
SISH110DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAKVishay Siliconix -
SISC050N10DX1SA1
MOSFET N-CHAN SAWED WAFERInternational Rectifier (Infineon Technologies) -
SISC185N06LX1SA1
TRANSISTOR P-CH BARE DIEInternational Rectifier (Infineon Technologies) -
SISH103DN-T1-GE3
P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWEVishay Siliconix -
SISC097N24DX1SA1
TRANSISTOR P-CH BARE DIEInfineon Technologies -
SISF04DN-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 1212-8Vishay Siliconix -
SISF20DN-T1-GE3
MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCDVishay Siliconix -
SISH112DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAKVishay Siliconix