Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - массивы > SISF02DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISF02DN-T1-GE3

Номер детали производителя SISF02DN-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8
Упаковка PowerPAK® 1212-8SCD
В наличии 144605 pcs
Техническая спецификация SiSF02DN
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.556 $0.496 $0.387 $0.32 $0.252
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 144605 Vishay Siliconix SISF02DN-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® 1212-8SCD
Серии TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 7A, 10V
Мощность - Макс 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® 1212-8SCD
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2650pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 56nC @ 10V
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 25V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 30.5A (Ta), 60A (Tc)
конфигурация 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Базовый номер продукта SISF02

Рекомендуемые продукты

SISF02DN-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Loading...