BSC16DN25NS3GATMA1
| Номер детали производителя | BSC16DN25NS3GATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5 |
| Упаковка | PG-TDSON-8-5 |
| В наличии | 84238 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Mould Chgs 22/Jun/2022Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022 |
Справочная цена (В долларах США)
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.878 | $0.789 | $0.634 | $0.521 | $0.432 | $0.402 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 84238 Infineon Technologies BSC16DN25NS3GATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 32µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TDSON-8-5 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 5.5A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 62.5W (Tc) |
| Упаковка / | 8-PowerTDFN |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 920 pF @ 100 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 11.4 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 250 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 10.9A (Tc) |
| Базовый номер продукта | BSC16DN25 |
Рекомендуемые продукты
-
BSC159N10LSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSONInfineon Technologies -
BSC220N20NSFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8Infineon Technologies -
BSC200P03LSGAUMA1
MOSFET P-CH 30V 9.9/12.5A 8TDSONInfineon Technologies -
BSC150N03LDGATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSONInfineon Technologies -
BSC152N10NSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSONInfineon Technologies -
BSC160N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSONInfineon Technologies -
BSC150N03LD
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC160N15NS5SCATMA1
TRENCH >=100VInfineon Technologies -
BSC155N06NDATMA1
TRENCH 40<-<100VInfineon Technologies -
BSC152N10NSFG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC196N10NSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSONInfineon Technologies -
BSC190N12NS3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSONInfineon Technologies -
BSC205N10LSG
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC205N10LSGATMA1
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC20
(SOC) BSC20 SOC, 3"X42", CELLULOBrady Corporation -
BSC146N10LS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 44A TDSON-8-6Infineon Technologies -
BSC190N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1Infineon Technologies -
BSC160N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 56A TDSONInfineon Technologies -
BSC200P03LSG
P-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
BSC205N10LS G
MOSFET N-CH 100V 7.4A/45A TDSONInfineon Technologies