Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SISS02DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

Номер детали производителя SISS02DN-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 25V 51A/80A PPAK
Упаковка PowerPAK® 1212-8S
В наличии 136670 pcs
Техническая спецификация SISS02DN
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.533 $0.476 $0.371 $0.307 $0.242
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 136670 Vishay Siliconix SISS02DN-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Vgs (макс.) +16V, -12V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® 1212-8S
Серии TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2mOhm @ 15A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® 1212-8S
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 4450 pF @ 10 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 83 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 25 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 51A (Ta), 80A (Tc)
Базовый номер продукта SISS02

Рекомендуемые продукты

SISS02DN-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SISS02DN-T1-GE3

Связанные детали для SISS02DN-T1-GE3