Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SISHA10DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISHA10DN-T1-GE3

Номер детали производителя SISHA10DN-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 25A/30A PPAK
Упаковка PowerPAK® 1212-8SH
В наличии 227110 pcs
Техническая спецификация SiSHA10DN
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000
$0.335 $0.296 $0.227 $0.18 $0.144
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 227110 Vishay Siliconix SISHA10DN-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Vgs (макс.) +20V, -16V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® 1212-8SH
Серии TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® 1212-8SH
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2425 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 51 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 25A (Ta), 30A (Tc)
Базовый номер продукта SISHA10

Рекомендуемые продукты

SISHA10DN-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SISHA10DN-T1-GE3

Связанные детали для SISHA10DN-T1-GE3