Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies

BSC196N10NSGATMA1

Номер детали производителя BSC196N10NSGATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON
Упаковка PG-TDSON-8-1
В наличии 187424 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Multiple Changes 09/Jul/2014Assembly Site Update 26/Jul/2016
Справочная цена (В долларах США)
1 10 100 500 1000 2000
$0.523 $0.469 $0.366 $0.302 $0.238 $0.223
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 187424 Infineon Technologies BSC196N10NSGATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 42µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TDSON-8-1
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19.6mOhm @ 45A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 78W (Tc)
Упаковка / 8-PowerTDFN
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2300 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 8.5A (Ta), 45A (Tc)
Базовый номер продукта BSC196

Рекомендуемые продукты

BSC196N10NSGATMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация