IPB25N06S3L-22
Номер детали производителя | IPB25N06S3L-22 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 55V 25A TO263-3 |
Упаковка | PG-TO263-3-2 |
В наличии | 5056 pcs |
Техническая спецификация | IPB(I,P)25N06S3L-22Part Number Guide |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5056 Infineon Technologies IPB25N06S3L-22 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.2V @ 20µA |
Vgs (макс.) | ±16V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-3-2 |
Серии | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.3mOhm @ 17A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 50W (Tc) |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2260 pF @ 25 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 55 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 25A (Tc) |
Базовый номер продукта | IPB25 |
Рекомендуемые продукты
-
IPB230N06L3G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB330P10NMATMA1
TRENCH >=100V PG-TO263-3Infineon Technologies -
IPB22N03S4L15ATMA1
MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3Infineon Technologies -
IPB240N04S41R0ATMA1
MOSFET N-CH 40V 240A TO263-7Infineon Technologies -
IPB26CN10N
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB240N04S4R9ATMA1
MOSFET N-CH 40V 240A TO263-7Infineon Technologies -
IPB35N10S3L26ATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAKInfineon Technologies -
IPB320P10LMATMA1
TRENCH >=100V PG-TO263-3Infineon Technologies -
IPB240N03S4LR8ATMA1928
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A D2PAKInfineon Technologies -
IPB26CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 35A D2PAKInfineon Technologies -
IPB22N03S4L-15ATMA1
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB240N03S4LR8ATMA1
MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7Infineon Technologies -
IPB25N06S3-25
MOSFET N-CH 55V 25A TO263-3Infineon Technologies -
IPB260N06N3G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB34CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 27A D2PAKInfineon Technologies -
IPB240N03S4LR9ATMA1
MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7Infineon Technologies -
IPB230N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAKInfineon Technologies -
IPB260N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAKInfineon Technologies -
IPB26CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAKInfineon Technologies