IPB200N25N3GATMA1
Номер детали производителя | IPB200N25N3GATMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK |
Упаковка | PG-TO263-3 |
В наличии | 20639 pcs |
Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Chgs 22/Dec/2021 |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 |
---|---|---|---|
$3.269 | $2.954 | $2.446 | $2.13 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 20639 Infineon Technologies IPB200N25N3GATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-3 |
Серии | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 64A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 300W (Tc) |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 7100 pF @ 100 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 250 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 64A (Tc) |
Базовый номер продукта | IPB200 |
Рекомендуемые продукты
-
IPB180P04P4L02ATMA1
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB240N04S4R9ATMA1
MOSFET N-CH 40V 240A TO263-7Infineon Technologies -
IPB180P04P403ATMA2
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB180P04P4L02ATMA2
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB180P04P403ATMA1
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB19DP10NMATMA1
TRENCH >=100V PG-TO263-3Infineon Technologies -
IPB240N03S4LR8ATMA1928
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB200N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A D2PAKInfineon Technologies -
IPB240N03S4LR8ATMA1
MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7Infineon Technologies -
IPB230N06L3G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB200N15N3
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB22N03S4L-15ATMA1
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB22N03S4L-15
IPB22N03 - 20V-40V N-CHANNEL AUTInfineon Technologies -
IPB240N03S4LR9ATMA1
MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7Infineon Technologies -
IPB240N04S41R0ATMA1
MOSFET N-CH 40V 240A TO263-7Infineon Technologies -
IPB200N15N3G
IPB200N15 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
IPB180N10S403ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB180N10S402ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB22N03S4L15ATMA1
MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3Infineon Technologies -
IPB230N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAKInfineon Technologies