IPB320N20N3GATMA1
Номер детали производителя | IPB320N20N3GATMA1 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK |
Упаковка | PG-TO263-3 |
В наличии | 41467 pcs |
Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Chgs 22/Dec/2021 |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 |
---|---|---|---|
$1.347 | $1.21 | $0.991 | $0.844 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 41467 Infineon Technologies IPB320N20N3GATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-3 |
Серии | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 34A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 136W (Tc) |
Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2350 pF @ 100 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 200 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 34A (Tc) |
Базовый номер продукта | IPB320 |
Рекомендуемые продукты
-
IPB240N04S4R9ATMA1
MOSFET N-CH 40V 240A TO263-7Infineon Technologies -
IPB26CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 35A D2PAKInfineon Technologies -
IPB26CN10N
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB240N04S41R0ATMA1
MOSFET N-CH 40V 240A TO263-7Infineon Technologies -
IPB260N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAKInfineon Technologies -
IPB26CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAKInfineon Technologies -
IPB330P10NMATMA1
TRENCH >=100V PG-TO263-3Infineon Technologies -
IPB45N06S3L-13
MOSFET N-CH 55V 45A TO263-3Infineon Technologies -
IPB240N03S4LR9ATMA1
MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7Infineon Technologies -
IPB407N30NATMA1
MOSFET N-CH 300V 44A D2PAKInfineon Technologies -
IPB320P10LMATMA1
TRENCH >=100V PG-TO263-3Infineon Technologies -
IPB45N06S3-16
MOSFET N-CH 55V 45A TO263-3Infineon Technologies -
IPB34CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 27A D2PAKInfineon Technologies -
IPB35N12S3L26ATMA1
MOSFET N-CHANNEL_100+Infineon Technologies -
IPB45N04S4L-08
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB25N06S3L-22
MOSFET N-CH 55V 25A TO263-3Infineon Technologies -
IPB260N06N3G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB25N06S3-25
MOSFET N-CH 55V 25A TO263-3Infineon Technologies -
IPB35N10S3L26ATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAKInfineon Technologies -
IPB45N04S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2Infineon Technologies