IPB180N06S4H1ATMA1
| Номер детали производителя | IPB180N06S4H1ATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 |
| Упаковка | PG-TO263-7-3 |
| В наличии | 6367 pcs |
| Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019Wafer Fab Transfer 02/Jun/2016 |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 6367 Infineon Technologies IPB180N06S4H1ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-7-3 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 100A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 250W (Tc) |
| Упаковка / | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 21900 pF @ 25 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 270 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 180A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPB180 |
Рекомендуемые продукты
-
IPB200N15N3
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB180N08S402ATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB180N04S401ATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB180P04P403ATMA1
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB180P04P403ATMA2
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB19DP10NMATMA1
TRENCH >=100V PG-TO263-3Infineon Technologies -
IPB180P04P4L02ATMA1
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB180N06S4H1ATMA2
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB180N04S4L01ATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB180N04S400ATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB180P04P4L02ATMA2
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB180N03S4LH0ATMA1
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB180N03S4L-H0
IPB180N03 - 20V-40V N-CHANNEL AUInfineon Technologies -
IPB180N10S402ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB180N03S4L-01
IPB180N03 - 20V-40V N-CHANNEL AUInfineon Technologies -
IPB180N04S302ATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB180N10S403ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB180N04S4LH0ATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB180N03S4L01ATMA1
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB180N04S4H0ATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3Infineon Technologies