IPB19DP10NMATMA1

Номер детали производителя	IPB19DP10NMATMA1
производитель	Infineon Technologies
Подробное описание	TRENCH >=100V PG-TO263-3
Упаковка	PG-TO263-3
В наличии	63595 pcs
Техническая спецификация	OptiMOS Dev A/T Add 3/Feb/2022

Справочная цена (В долларах США)

1	10	100	500
$0.894	$0.804	$0.646	$0.531

Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 63595 Infineon Technologies IPB19DP10NMATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net

Спецификация

Свойства продукта	Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id	4V @ 1.04mA
Vgs (макс.)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства	PG-TO263-3
Серии	OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs	185mOhm @ 12A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс)	3.8W (Ta), 83W (Tc)
Упаковка /	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)

Свойства продукта	Значение атрибута
Тип установки	Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds	2000 pF @ 50 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Тип FET	P-Channel
FET Характеристика	-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Слить к источнику напряжения (VDSS)	100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	2.9A (Ta), 13.8A (Tc)
Базовый номер продукта	IPB19D