Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPB45P03P4L11ATMA2
Infineon Technologies

IPB45P03P4L11ATMA2

Номер детали производителя IPB45P03P4L11ATMA2
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
Упаковка PG-TO263-3-2
В наличии 125478 pcs
Техническая спецификация Orderable Part Number OPN Translation Table
Справочная цена (В долларах США)
1000 2000 5000 10000
$0.406 $0.378 $0.364 $0.35
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 125478 Infineon Technologies IPB45P03P4L11ATMA2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 85µA
Vgs (макс.) +5V, -16V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO263-3-2
Серии Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.8mOhm @ 45A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 58W (Tc)
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 3770 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 55 nC @ 10 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 45A (Tc)
Базовый номер продукта IPB45P

Рекомендуемые продукты

IPB45P03P4L11ATMA2 DataSheet PDF

Техническая спецификация