IPB180N06S4H1ATMA2
Номер детали производителя | IPB180N06S4H1ATMA2 |
---|---|
производитель | Infineon Technologies |
Подробное описание | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 |
Упаковка | PG-TO263-7 |
В наличии | 30832 pcs |
Техническая спецификация | Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019 |
Справочная цена (В долларах США)
1 | 10 | 100 | 500 |
---|---|---|---|
$1.776 | $1.594 | $1.306 | $1.112 |
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 30832 Infineon Technologies IPB180N06S4H1ATMA2 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-7 |
Серии | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 100A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 250W (Tc) |
Упаковка / | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 21900 pF @ 25 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 270 nC @ 10 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 180A (Tc) |
Базовый номер продукта | IPB180 |
Рекомендуемые продукты
-
IPB180P04P4L02ATMA1
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB180N04S4L01ATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB180N04S4H0ATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3Infineon Technologies -
IPB180N03S4LH0ATMA1
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB180N08S402ATMA1
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB19DP10NMATMA1
TRENCH >=100V PG-TO263-3Infineon Technologies -
IPB180N06S4H1ATMA1
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB180P04P4L02ATMA2
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB180N03S4L-H0
IPB180N03 - 20V-40V N-CHANNEL AUInfineon Technologies -
IPB180N04S401ATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB180N04S4LH0ATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB180N10S403ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB180N03S4L01ATMA1
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB200N15N3G
IPB200N15 - 12V-300V N-CHANNEL PInfineon Technologies -
IPB180N10S402ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB180P04P403ATMA1
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB180P04P403ATMA2
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB180N04S302ATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7Infineon Technologies -
IPB200N15N3
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB180N04S400ATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7Infineon Technologies