IPB34CN10NGATMA1
| Номер детали производителя | IPB34CN10NGATMA1 |
|---|---|
| производитель | Infineon Technologies |
| Подробное описание | MOSFET N-CH 100V 27A D2PAK |
| Упаковка | PG-TO263-3 |
| В наличии | 5777 pcs |
| Техническая спецификация | IPx33-35CN10N GPart Number GuideMultiple Devices 26/Jul/2012 |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5777 Infineon Technologies IPB34CN10NGATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 29µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | PG-TO263-3 |
| Серии | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 27A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 58W (Tc) |
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Свойства продукта | Значение атрибута |
|---|---|
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1570 pF @ 50 V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 27A (Tc) |
| Базовый номер продукта | IPB34C |
Рекомендуемые продукты
-
IPB320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A D2PAKInfineon Technologies -
IPB45N06S3-16
MOSFET N-CH 55V 45A TO263-3Infineon Technologies -
IPB35N12S3L26ATMA1
MOSFET N-CHANNEL_100+Infineon Technologies -
IPB260N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAKInfineon Technologies -
IPB26CN10N
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB35N10S3L26ATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAKInfineon Technologies -
IPB260N06N3G
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB330P10NMATMA1
TRENCH >=100V PG-TO263-3Infineon Technologies -
IPB45N06S409ATMA2
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3Infineon Technologies -
IPB25N06S3-25
MOSFET N-CH 55V 25A TO263-3Infineon Technologies -
IPB26CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAKInfineon Technologies -
IPB407N30NATMA1
MOSFET N-CH 300V 44A D2PAKInfineon Technologies -
IPB320P10LMATMA1
TRENCH >=100V PG-TO263-3Infineon Technologies -
IPB25N06S3L-22
MOSFET N-CH 55V 25A TO263-3Infineon Technologies -
IPB45N04S4L-08
N-CHANNEL POWER MOSFETInfineon Technologies -
IPB45N06S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3Infineon Technologies -
IPB45N06S409ATMA1
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3Infineon Technologies -
IPB26CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 35A D2PAKInfineon Technologies -
IPB45N04S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2Infineon Technologies -
IPB45N06S3L-13
MOSFET N-CH 55V 45A TO263-3Infineon Technologies