Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPB180N03S4LH0ATMA1
IPB180N03S4LH0ATMA1 Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IPB180N03S4LH0ATMA1

Номер детали производителя IPB180N03S4LH0ATMA1
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Упаковка PG-TO263-7-3
В наличии 4230 pcs
Техническая спецификация Part Number GuideMult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018Mult Dev EOL 30/Sep/2022Wafer Test Add 27/Apr/2017
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4230 Infineon Technologies IPB180N03S4LH0ATMA1 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.2V @ 200µA
Vgs (макс.) ±16V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO263-7-3
Серии OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.95mOhm @ 100A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 250W (Tc)
Упаковка / TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 23000 pF @ 25 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 300 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 180A (Tc)
Базовый номер продукта IPB180

Рекомендуемые продукты

IPB180N03S4LH0ATMA1 DataSheet PDF

Техническая спецификация