Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > SIS778DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS778DN-T1-GE3

Номер детали производителя SIS778DN-T1-GE3
производитель Vishay Siliconix
Подробное описание MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Упаковка PowerPAK® 1212-8
В наличии 6688 pcs
Техническая спецификация Multiple Devices 14/Mar/2018SIS778DN
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Vishay Siliconix.У нас есть кусочки 6688 Vishay Siliconix SIS778DN-T1-GE3 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PowerPAK® 1212-8
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) 52W (Tc)
Упаковка / PowerPAK® 1212-8
Упаковка Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура -50°C ~ 150°C (TJ)
Свойства продукта Значение атрибута
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1390 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 42.5 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика Schottky Diode (Body)
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 35A (Tc)
Базовый номер продукта SIS778

Рекомендуемые продукты

SIS778DN-T1-GE3 DataSheet PDF

Техническая спецификация

Ключевые слова для SIS778DN-T1-GE3

Связанные детали для SIS778DN-T1-GE3